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中企芯片加速突围:狂囤2067亿制造设备!美国2个月损失1.1亿

来源: 金十数据   日期:2021-02-03  责编: 殷绪江  
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   美国本想通过芯片新规遏制其他国家半导体产业的发展,却不料自家芯片产业遭到反噬,仅2个月时间就损失1700万美元的销售额;不仅如此,近年来美国老牌芯片厂商已纷纷将更先进制程工艺交由海外企业代工,如今连锁反应也开始出现。
   相比之下,中企面对美国新规早已做足了准备,并且在关键技术上取得的突破还引发了美国同行的“密切关注”。
国产光刻机今年下线!中企加速突围:囤下2067亿芯片制造设备
   据外媒2月3日最新消息,官方贸易数据分析结果显示,中企2020年从日本、韩国等地购买了将近320亿美元(约2067亿元人民币)的芯片制造设备,进口额相比2019年跃升了20%;同时,在华为等企业纷纷赶在新规生效前大力囤积相关产品的推动下,中国市场去年芯片进口额升至近3800亿美元(约24550亿元人民币)的水平,约占进口总额的18%。
   外媒评论,面对美国芯片新规,中企大力囤积芯片及制造设备,意味着其正实现突围,同时中国正大力推进实现半导体自给自足的全面计划——比如,中芯国际等中企已加大进口用于生产半导体晶圆和芯片的设备,而据国际半导体行业协会(SEMI)2020年12月的一份报告,中国在2020年成为了此类设备的全球最大市场。
   除了加大自外采购,日前中科院也明确表示,已将光刻机等对外依赖度较大的关键材料或设备列入科研清单,未来将致力于攻克这些重点领域的技术。而上个月,国产光刻机也传来两则好消息:一是上海微电子方面表示,今年将推出首台28纳米沉浸式光刻机;二是国产28nm光刻机线下投产,可以加快芯片国产化的速度。
中国关键闪存再获突破!美企感到紧张:密切关注发展
   中国芯片国产化正不断加速,尤其是在关键芯片的技术突破,并正争取市场份额,这也引发了美企的“密切关注”。比如,长江存储官网显示,该公司早在去年4月就推出了使用QLC(四层单元,亦即每个单元存储4个bit数据)技术、128层堆叠的NAND产品,在当时拥有业内已知型号中最高单位面积存储密度、最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
   面对中国厂商在技术上与国际巨头展开的竞争,美国存储芯片大厂美光(Micron)也有些略显紧张——这一巨头在近日释放信号,称其正在密切关注中国NAND(闪存)同行的发展,面对可能存在的竞争,该公司有自信能够继续稳住与中国客户的合作关系。
   实际上,紧张的不只是美光,美国芯片行业的“焦虑感”也正与日俱增。一方面,美国芯片新规正在反噬自身,早在2020年7月,国际半导体行业协会(SEMI)就警告,新规损害了美国半导体设备及芯片出口,并且2个月时间就已导致美国原产项目销售额损失了1700万美元(约1.1亿元人民币)。
   另一方面,由于英特尔、高通等美国老牌芯片厂商近年来已逐渐淡出芯片制造环节,将芯片交由台积电等代工厂代工,美国芯片面临的“断供”风险也正不断加剧。
   美国半导体产业协会(SIA)2月1日数据指出,2020年美国自全球市场购入了941.5亿美元(约6080亿元人民币)的芯片,较上年增长19.8%;同时,美企虽贡献了全球半导体市场约50%的销量,但它们的芯片产能却仅有12%左右,远低于1990年的37%,原因是大部分美企已选择从亚洲工厂采购芯片。





 



 
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