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三星计划2022年6月量产3nm芯片,追赶台积电

来源: 环球网   日期:2021-10-11  责编: 殷绪江  
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   10月11日消息,据韩国媒体最新报道,日前三星电子高管在三星代工论坛上透露,三星电子已确保3nm制程工艺有稳定的良品率,并计划于明年6月份开始量产,代工相关的芯片。
   据了解,为了在半导体制程工艺上追赶上台积电,三星在3nm工艺的研发当中就率先引入了全新的GAA(Gate-all-around,环绕栅极)技术。三星方面表示,采用这一工艺代工的芯片,性能较5nm将提升50%,能耗降低50%。
   外媒指出,三星电子方面对3nm工艺寄予厚望,多年前就已开始研发事宜。在今年6月底,有外媒在报道中表示,三星电子的3nm工艺已成功流片,并计划于2021年下半年领先台积电量产3nm。不过在随后的在“Samsung Foundry Forum 2021”论坛活动上,三星表示转移到全新的GAA技术难度很高,3nm制程将推迟到2022年上半年量产。
   而目前在推进3nm工艺的另一家厂商,是当前全球最大的芯片代工商台积电,在近几个季度的财报分析师电话会议上,台积电CEO魏哲家均透露他们的这一工艺在按计划推进,计划今年下半年风险试产,明年大规模量产。




 

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